Článek H. Takahara vysvětluje základní principy XRF analýzy tenkých vrstev. Jako příklad je zvolena analýza tenké vrstvy ITO (oxidy In a Sn), u které je popsáno i nastavení softwarových parametrů. Vytvoření aplikace i nastavení parametrů je popsáno pro metodu WDXRF, ale stejné principy platí i při tvorbě této aplikace u metody EDXRF. 

Rtg. fluorescenční spektrometrie (XRF) umožňuje kvantitativní prvkovou analýzu anorganických a kovových sloučenin. Příprava vzorků je jednoduchá a nevyžaduje rozklad vzorků, jak to vyžaduje např. chemická analýza mokrou cestou. Metoda fundamentálních parametrů (FP) je nástrojem pro kvantitativní analýzu bez použití standardů. Metoda XRF je hojně rozšířená nejenom pro analýzu bulk  materiálů (tj. materiálů, které jsou pro rtg. záření nekonečně tlusté), ale také pro analýzu tenkých vrstev, se kterými se setkáváme např. při pokovování nebo při analýze elektronických materiálů. S metodou FP pro tenké vrstvy lze současně určovat tloušťku i složení vrstvy a software je schopný zvládnout i analýzy více vrstev současně.

Přejít na článek “Rigaku Journal 01 Thin Film Analysis”